近期，Power Integrations（以下简称PI公司）推出了耐压高达1700V的最新SCALE-iDriver^TM产品SID1183K，将IGBT和MOSFET驱动器IC的性能推到了一个新高度。

SID1183K的性能“成绩单”相当抢眼  

 

 

 

 

高度集成，外形紧凑

• 独立的门极开通和关断管脚，可提供8 A峰值驱动电流

• 集成的FluxLink^TM技术为原方与副方提供可靠绝缘

• 轨到轨输出稳定的门极电压

• 副方单电源供电

• 开关频率最高至75 kHz

• 具有较高的共模瞬态抗扰性

• 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

 

先进的保护/安全功能

• 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈

• 使用二极管或者电阻串来实现VCESAT检测功能，并将故障反馈给原方

• 高级软关断(ASSD)

 

完全符合各项安规要求

• 产品100%进行局部放电测试

• 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试

• 基本隔离符合VDE 0884-10标准

 

环保封装

• 无卤素且符合RoHS标准

 

在刚刚举办的PCIM展会上，PI公司的高级市场经理洪涛博士发表了题为《SCALE-iDriver^TM：新型 IGBT / MOSFET 驱动芯片》的演讲，全面剖析了可以让SCALE-iDriver^TM系列产品“独步天下”的设计秘笈。

 

【图为：PI大功率部门、高级市场经理洪涛在演讲】

 

洪涛博士的演讲中，将SCALE-iDriver^TM定义为一个“革命性的门级驱动技术”，他分析其“革命性”集中体现在四个方面：

 

首先 与传统方案采用的电磁耦合和光耦技术不同，SCALE-iDriver^TM采用了PI公司独有的固体绝缘FluxLink^TM技术实现电磁隔离，使得产品的耐压性能大大增强。同时由于省去了寿命相对较短的光耦器件和相关补偿电路，使得系统运行的可靠性得到加强，同时降低了系统的复杂度。

 

其次 SCALE-iDriver^TM在芯片内部采用了NMOS技术，和其他竞争性的方案相比，可以获得更高的驱动电流（SID1183K的峰值输出驱动电流可达8 A），在无需任何额外有源器件的条件下，可直接驱动600A以下的开关器件。同时也可获得更低的开关损耗和更快的相应速度。

 

 

第三 SCALE-iDriver^TM提供副方单电源供电，且可由单边电压提供双极供电。

 

最后 SCALE-iDriver^TM能够实现真正的“高级软关断（ASSD）”，为系统提供有效的短路保护。这很大程度上得益于SCALE-iDriver^TM可以实现正向门级电压的实时稳压控制，使电压稳定在15V，即使在短路的情况下，依然保持平稳。

 

与竞争性的产品相比，SCALE-iDriver^TM还有一个杀手锏：由于芯片具有更高的集成度，在典型应用中外围元器件大大减少，需要2层PCB板就可以搞定，所以采用SCALE-iDriver^TM可以有效节省系统的BOM成本。从下图一个典型的8A应用中，可以直观地看出SCALE-iDriver^TM的“省钱”功力如何。

 

 

 

结语

 

透过SCALE-iDriver^TM表面上的“高分高能”，了解了这些性能清单背后的故事，用起SCALE-iDriver^TM来心里会更踏实。

 

 

在PCIM Asia展会PI的展台，PI的工程师们也热情的为来宾介绍了SCALE-iDriver^TM系列产品。