IGBT模块与可控硅驱动的有什么区别?

发布于2022-08-03

场效应管与可控硅驱动电路有本质区别。首先,场效应管通常分为结型场效应管和绝缘格栅场效应管。可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅(可控硅也称为晶闸管,可分为单向晶闸管和双向晶闸管),其中绝缘格栅场效应管也称为MOS管(现场效应管,三极管混合器称为IGBT,通常称为门控管,该装置的驱动电路与现场效应管的驱动电路几乎相同)。该驱动器属于电压驱动器,主要用于功率输出、功率转换等场合。zui需要PWM(脉宽调制)信号来控制,输入格栅极的方波上升需要陡峭(也称为图腾柱输出)。并具有一定的瞬态驱动能力(因为现场效应管的格栅极等于电容,当驱动信号的瞬态功率不够时,原始波形会发生变化,通常等效为一个积分器)。当极高于10-15V时。在实际应用中,为了减少场效应管的过度功耗或防止损坏,一般应增加过流保护和相关吸收电路,并尝试使场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同。典型的应用程序是电磁炉。虽然通过炉盘(加热线圈)的电流和通过吸收电容器的电流非常大,但相位不同。相互抵消,叠加后的总电流较小,即通过场效应管(IGBT实际使用)的电流较小。

可控硅是由电流驱动的,因为它相当于两个三极管,形成正反馈放大。当一个信号被触发时,由于强烈的正反馈,它总是被导通。当栅极电压高于阳极电压或阳极,阴极电压差小于一定值时,正反馈失效,可控硅复位。在正常情况下,栅极电压不高于阳极,因此可控硅是一种不可关闭的半控制装置。